Comprar IRFH8318TR2PBF con BYCHPS
Compre con garantía
VGS (th) (Max) @Id: | 2.35V @ 50µA |
---|---|
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | PQFN (5x6) |
Serie: | HEXFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 3.1 mOhm @ 20A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 3.6W (Ta), 59W (Tc) |
embalaje: | Original-Reel® |
Paquete / Cubierta: | 8-PowerTDFN |
Otros nombres: | IRFH8318TR2PBFDKR |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante: | IRFH8318TR2PBF |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 3180pF @ 10V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 41nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 30V 27A (Ta), 120A (Tc) 3.6W (Ta), 59W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
Descripción: | MOSFET N-CH 30V 21A 5X6 PQFN |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 27A (Ta), 120A (Tc) |
Email: | [email protected] |