IRFH8318TR2PBF
IRFH8318TR2PBF
Número de pieza:
IRFH8318TR2PBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 21A 5X6 PQFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12624 Pieces
Ficha de datos:
IRFH8318TR2PBF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.35V @ 50µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PQFN (5x6)
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:3.1 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo):3.6W (Ta), 59W (Tc)
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:8-PowerTDFN
Otros nombres:IRFH8318TR2PBFDKR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IRFH8318TR2PBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3180pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:41nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 27A (Ta), 120A (Tc) 3.6W (Ta), 59W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 21A 5X6 PQFN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:27A (Ta), 120A (Tc)
Email:[email protected]

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