SPU30P06P
SPU30P06P
Número de pieza:
SPU30P06P
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 30A IPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13445 Pieces
Ficha de datos:
SPU30P06P.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 1.7mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO251-3
Serie:SIPMOS®
RDS (Max) @Id, Vgs:75 mOhm @ 21.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):125W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Otros nombres:SP000012844
SPU30P06P-ND
SPU30P06PIN
SPU30P06PX
SPU30P06PXK
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:SPU30P06P
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1535pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:48nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 60V 30A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET P-CH 60V 30A IPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

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