FDP8870
Número de pieza:
FDP8870
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 156A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14158 Pieces
Ficha de datos:
1.FDP8870.pdf2.FDP8870.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220AB
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:4.1 mOhm @ 35A, 10V
La disipación de energía (máximo):160W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:FDP8870
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5200pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:132nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 19A (Ta), 156A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220AB
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 156A TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:19A (Ta), 156A (Tc)
Email:[email protected]

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