Comprar SPP08P06PHXKSA1 con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 250µA |
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Vgs (Max): | ±20V |
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | PG-TO-220-3 |
Serie: | SIPMOS® |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 300 mOhm @ 6.2A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 42W (Tc) |
embalaje: | Tube |
Paquete / Cubierta: | TO-220-3 |
Otros nombres: | SP000446908 SPP08P06P G SPP08P06P G-ND SPP08P06P H SPP08P06P H-ND |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Through Hole |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 12 Weeks |
Número de pieza del fabricante: | SPP08P06PHXKSA1 |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 420pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 15nC @ 10V |
Tipo FET: | P-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | P-Channel 60V 8.8A (Tc) 42W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 60V |
Descripción: | MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-220 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 8.8A (Tc) |
Email: | [email protected] |