SPI70N10L
SPI70N10L
Número de pieza:
SPI70N10L
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 70A I2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
12793 Pieces
Ficha de datos:
SPI70N10L.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 2mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO262-3-1
Serie:SIPMOS®
RDS (Max) @Id, Vgs:16 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo):250W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Otros nombres:SP000014005
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:SPI70N10L
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4540pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:240nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 100V 70A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET N-CH 100V 70A I2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:70A (Tc)
Email:[email protected]

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