SPD30N03S2L20GBTMA1
SPD30N03S2L20GBTMA1
Número de pieza:
SPD30N03S2L20GBTMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15794 Pieces
Ficha de datos:
SPD30N03S2L20GBTMA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 23µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO252-3
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:20 mOhm @ 18A, 10V
La disipación de energía (máximo):60W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:SP000443768
SPD30N03S2L-20 G
SPD30N03S2L-20 G-ND
SPD30N03S2L-20 GTR-ND
SPD30N03S2L20G
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:SPD30N03S2L20GBTMA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:700pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:19nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 30A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

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