Comprar SPD30N03S2L-07 con BYCHPS
Compre con garantía
SPD30N03S2L-07
- Número de pieza:
- SPD30N03S2L-07
- Descripción:
- MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 15627 Pieces
- Ficha de datos:
- SPD30N03S2L-07.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para SPD30N03S2L-07, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para SPD30N03S2L-07 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2V @ 85µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | PG-TO252-3 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 6.7 mOhm @ 30A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 136W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Otros nombres: | SPD30N03S2L07INTR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | SPD30N03S2L-07 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2530pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 68nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 30V 30A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 30V 30A DPAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 30A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de SPD30N03S2L-07
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
SPD30N03S2L07GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 | Investigación |
|
SPD30N03S2L20GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 | Investigación |
|
SPD30N03S2L07T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A DPAK | Investigación |
|
SPD30N03S2L10T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A DPAK | Investigación |
|
SPD30N03S2L10GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 | Investigación |
|
SPD30N03S2L-20 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A DPAK | Investigación |
|
SPD30N03S2L-10 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A DPAK | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog