SIS776DN-T1-GE3
SIS776DN-T1-GE3
Número de pieza:
SIS776DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17469 Pieces
Ficha de datos:
SIS776DN-T1-GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PowerPAK® 1212-8
Serie:SkyFET®, TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:6.2 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo):3.8W (Ta), 52W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:PowerPAK® 1212-8
Temperatura de funcionamiento:-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:SIS776DN-T1-GE3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1360pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:36nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:Schottky Diode (Body)
Descripción ampliada:N-Channel 30V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:35A (Tc)
Email:[email protected]

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