Comprar SIE832DF-T1-E3 con BYCHPS
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| VGS (th) (Max) @Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 10-PolarPAK® (S) |
| Serie: | TrenchFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 5.5 mOhm @ 14A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 5.2W (Ta), 104W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 10-PolarPAK® (S) |
| Otros nombres: | SIE832DF-T1-E3TR SIE832DFT1E3 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 24 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | SIE832DF-T1-E3 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 3800pF @ 20V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 77nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 40V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (S) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 40V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 50A (Tc) |
| Email: | [email protected] |