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SIDC08D120H6
- Número de pieza:
- SIDC08D120H6
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 10A WAFER
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 13218 Pieces
- Ficha de datos:
- SIDC08D120H6.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para SIDC08D120H6, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para SIDC08D120H6 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.6V @ 10A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 1200V (1.2kV) |
| Paquete del dispositivo: | Sawn on foil |
| Velocidad: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | Die |
| Otros nombres: | SP000013216 |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -55°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | SIDC08D120H6 |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 1200V (1.2kV) 10A (DC) Surface Mount Sawn on foil |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 1.2KV 10A WAFER |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 27µA @ 1200V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 10A (DC) |
| Capacitancia Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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