SIDC08D120H6
Número de pieza:
SIDC08D120H6
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
DIODE GEN PURP 1.2KV 10A WAFER
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
13218 Pieces
Ficha de datos:
SIDC08D120H6.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1.6V @ 10A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):1200V (1.2kV)
Paquete del dispositivo:Sawn on foil
Velocidad:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie:-
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:Die
Otros nombres:SP000013216
Temperatura de funcionamiento - Junction:-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:SIDC08D120H6
Descripción ampliada:Diode Standard 1200V (1.2kV) 10A (DC) Surface Mount Sawn on foil
Tipo de diodo:Standard
Descripción:DIODE GEN PURP 1.2KV 10A WAFER
Corriente - Fuga inversa a Vr:27µA @ 1200V
Corriente - rectificada media (Io):10A (DC)
Capacitancia Vr, F:-
Email:[email protected]

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