Comprar SIDC09D60E6Y con BYCHPS
Compre con garantía
SIDC09D60E6Y
- Número de pieza:
- SIDC09D60E6Y
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 17317 Pieces
- Ficha de datos:
- SIDC09D60E6Y.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para SIDC09D60E6Y, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para SIDC09D60E6Y por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.7V @ 20A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 600V |
| Paquete del dispositivo: | Sawn on foil |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 150ns |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | Die |
| Otros nombres: | SP000012548 |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -55°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | SIDC09D60E6Y |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 600V 20A (DC) Surface Mount Sawn on foil |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 27µA @ 600V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 20A (DC) |
| Capacitancia Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de SIDC09D60E6Y
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
SIDC09D60F6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 30A WAFER | Investigación |
|
SIDC09D60E6 UNSAWN | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER | Investigación |
|
SIDC09D60E6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER | Investigación |
|
SIDC03D120F6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 2A WAFER | Investigación |
|
SIDC06D60C6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER | Investigación |
|
SIDC03D60F6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 6A WAFER | Investigación |
|
SIDC03D120H6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 3A WAFER | Investigación |
|
SIDC04D60F6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 9A WAFER | Investigación |
|
SIDC01D120H6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 600MA WAFER | Investigación |
|
SIDC08D120F6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 7A WAFER | Investigación |
|
SIDC03D60C6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 10A WAFER | Investigación |
|
SIDC06D60AC6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog