SIA427ADJ-T1-GE3
SIA427ADJ-T1-GE3
Número de pieza:
SIA427ADJ-T1-GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET P-CH 8V 12A 6SC-70
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16894 Pieces
Ficha de datos:
SIA427ADJ-T1-GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:800mV @ 250µA
Vgs (Max):±5V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PowerPAK® SC-70-6 Single
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:16 mOhm @ 8.2A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):3.5W (Ta), 19W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:PowerPAK® SC-70-6
Otros nombres:SIA427ADJ-T1-GE3-ND
SIA427ADJ-T1-GE3TR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:24 Weeks
Número de pieza del fabricante:SIA427ADJ-T1-GE3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2300pF @ 4V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:50nC @ 5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 8V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):1.2V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:8V
Descripción:MOSFET P-CH 8V 12A 6SC-70
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

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