Comprar SI7309DN-T1-GE3 con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 3V @ 250µA |
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Vgs (Max): | ±20V |
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | PowerPAK® 1212-8 |
Serie: | TrenchFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 115 mOhm @ 3.9A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) |
embalaje: | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta: | PowerPAK® 1212-8 |
Otros nombres: | SI7309DN-T1-GE3-ND SI7309DN-T1-GE3TR SI7309DNT1GE3 |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 15 Weeks |
Número de pieza del fabricante: | SI7309DN-T1-GE3 |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 600pF @ 30V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 22nC @ 10V |
Tipo FET: | P-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | P-Channel 60V 8A (Tc) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 60V |
Descripción: | MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8 PPAK |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 8A (Tc) |
Email: | [email protected] |