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NTMSD6N303R2SG
- Número de pieza:
- NTMSD6N303R2SG
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 16279 Pieces
- Ficha de datos:
- NTMSD6N303R2SG.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para NTMSD6N303R2SG, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para NTMSD6N303R2SG por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 8-SOIC |
| Serie: | FETKY™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 32 mOhm @ 6A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 2W (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Temperatura de funcionamiento: | - |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Número de pieza del fabricante: | NTMSD6N303R2SG |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 950pF @ 24V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 30nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | Schottky Diode (Isolated) |
| Descripción ampliada: | N-Channel 30V 6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOIC |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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