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NTMSD3P303R2G
- Número de pieza:
- NTMSD3P303R2G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 14675 Pieces
- Ficha de datos:
- NTMSD3P303R2G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para NTMSD3P303R2G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para NTMSD3P303R2G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 8-SOIC |
| Serie: | FETKY™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 85 mOhm @ 3.05A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 730mW (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Otros nombres: | NTMSD3P303R2GOS |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Número de pieza del fabricante: | NTMSD3P303R2G |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 750pF @ 24V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 25nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | Schottky Diode (Isolated) |
| Descripción ampliada: | P-Channel 30V 2.34A (Ta) 730mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción: | MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 2.34A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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