SI5513DC-T1-E3
SI5513DC-T1-E3
Número de pieza:
SI5513DC-T1-E3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15297 Pieces
Ficha de datos:
SI5513DC-T1-E3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo:1206-8 ChipFET™
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:75 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Potencia - Max:1.1W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SMD, Flat Lead
Otros nombres:SI5513DC-T1-E3TR
SI5513DCT1E3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:SI5513DC-T1-E3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:6nC @ 4.5V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.1A, 2.1A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:3.1A, 2.1A
Email:sales@bychips.com

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