Comprar SI5513DC-T1-E3 con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 1.5V @ 250µA |
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Paquete del dispositivo: | 1206-8 ChipFET™ |
Serie: | TrenchFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 75 mOhm @ 3.1A, 4.5V |
Potencia - Max: | 1.1W |
embalaje: | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta: | 8-SMD, Flat Lead |
Otros nombres: | SI5513DC-T1-E3TR SI5513DCT1E3 |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante: | SI5513DC-T1-E3 |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 6nC @ 4.5V |
Tipo FET: | N and P-Channel |
Característica de FET: | Logic Level Gate |
Descripción ampliada: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.1A, 2.1A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
Descripción: | MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 3.1A, 2.1A |
Email: | sales@bychips.com |