Comprar SI4965DY-T1-E3 con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 450mV @ 250µA (Min) |
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Paquete del dispositivo: | 8-SO |
Serie: | TrenchFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 21 mOhm @ 8A, 4.5V |
Potencia - Max: | 2W |
embalaje: | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante: | SI4965DY-T1-E3 |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 55nC @ 4.5V |
Tipo FET: | 2 P-Channel (Dual) |
Característica de FET: | Logic Level Gate |
Descripción ampliada: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 2W Surface Mount 8-SO |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 8V |
Descripción: | MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | - |
Email: | [email protected] |