Comprar SI4835DDY-T1-GE3 con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 3V @ 250µA |
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Vgs (Max): | ±25V |
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | 8-SO |
Serie: | TrenchFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 18 mOhm @ 10A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 2.5W (Ta), 5.6W (Tc) |
embalaje: | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Otros nombres: | SI4835DDY-T1-GE3TR SI4835DDYT1GE3 |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 15 Weeks |
Número de pieza del fabricante: | SI4835DDY-T1-GE3 |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1960pF @ 15V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 65nC @ 10V |
Tipo FET: | P-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | P-Channel 30V 13A (Tc) 2.5W (Ta), 5.6W (Tc) Surface Mount 8-SO |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
Descripción: | MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 13A (Tc) |
Email: | [email protected] |