SI4831BDY-T1-E3
Número de pieza:
SI4831BDY-T1-E3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16229 Pieces
Ficha de datos:
SI4831BDY-T1-E3.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para SI4831BDY-T1-E3, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para SI4831BDY-T1-E3 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar SI4831BDY-T1-E3 con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:LITTLE FOOT®
RDS (Max) @Id, Vgs:42 mOhm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo):2W (Ta), 3.3W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:SI4831BDY-T1-E3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:625pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:26nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:Schottky Diode (Isolated)
Descripción ampliada:P-Channel 30V 6.6A (Tc) 2W (Ta), 3.3W (Tc) Surface Mount 8-SO
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:6.6A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios