Comprar SI4752DY-T1-GE3 con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 2.2V @ 1mA |
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Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | 8-SO |
Serie: | SkyFET®, TrenchFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 5.5 mOhm @ 10A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 3W (Ta), 6.25W (Tc) |
embalaje: | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante: | SI4752DY-T1-GE3 |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1700pF @ 15V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 43nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | Schottky Diode (Body) |
Descripción ampliada: | N-Channel 30V 25A (Tc) 3W (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 8-SO |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
Descripción: | MOSFET N-CH 30V 25A 8-SO |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 25A (Tc) |
Email: | [email protected] |