SI3983DV-T1-E3
SI3983DV-T1-E3
Número de pieza:
SI3983DV-T1-E3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 6-TSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17704 Pieces
Ficha de datos:
SI3983DV-T1-E3.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para SI3983DV-T1-E3, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para SI3983DV-T1-E3 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar SI3983DV-T1-E3 con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.1V @ 250µA
Paquete del dispositivo:6-TSOP
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:110 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Potencia - Max:830mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Otros nombres:SI3983DV-T1-E3TR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:SI3983DV-T1-E3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:7.5nC @ 4.5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.1A 830mW Surface Mount 6-TSOP
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 6-TSOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2.1A
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios