Comprar SI3493DV-T1-E3 con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 1V @ 250µA |
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Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | 6-TSOP |
Serie: | TrenchFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 27 mOhm @ 7A, 4.5V |
La disipación de energía (máximo): | 1.1W (Ta) |
embalaje: | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante: | SI3493DV-T1-E3 |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 32nC @ 4.5V |
Tipo FET: | P-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | P-Channel 20V 5.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
Descripción: | MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 5.3A (Ta) |
Email: | [email protected] |