Comprar IRF7353D1TR con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 1V @ 250µA |
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Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | 8-SO |
Serie: | FETKY™ |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 32 mOhm @ 5.8A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 2W (Ta) |
embalaje: | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante: | IRF7353D1TR |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 650pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 33nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | Schottky Diode (Isolated) |
Descripción ampliada: | N-Channel 30V 6.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
Descripción: | MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 6.5A (Ta) |
Email: | [email protected] |