RSD140P06TL
RSD140P06TL
Número de pieza:
RSD140P06TL
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 14A CPT3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19875 Pieces
Ficha de datos:
1.RSD140P06TL.pdf2.RSD140P06TL.pdf3.RSD140P06TL.pdf4.RSD140P06TL.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:CPT3
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:84 mOhm @ 14A, 10V
La disipación de energía (máximo):20W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:RSD140P06TL-ND
RSD140P06TLTR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:17 Weeks
Número de pieza del fabricante:RSD140P06TL
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1900pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:27nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 60V 14A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount CPT3
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET P-CH 60V 14A CPT3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:14A (Ta)
Email:[email protected]

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