RRH140P03GZETB
Número de pieza:
RRH140P03GZETB
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 14A 8SOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19172 Pieces
Ficha de datos:
RRH140P03GZETB.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-SOP
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:7 mOhm @ 14A, 10V
La disipación de energía (máximo):650mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:RRH140P03GZETBTR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:17 Weeks
Número de pieza del fabricante:RRH140P03GZETB
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:8000pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:150nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 30V 14A (Ta) 650mW (Ta) Surface Mount 8-SOP
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET P-CH 30V 14A 8SOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:14A (Ta)
Email:[email protected]

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