RN4990(T5L,F,T) - Toshiba Semiconductor and Storage - Transistores-bipolar (BJT)-matrices presesgadas RN4990(T5L,F,T)

RN4990(T5L,F,T)

Número de pieza:: RN4990(T5L,F,T)

Fabricante:: Toshiba Semiconductor

Descripción:: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

Estado Libre de plomo / Estado RoHS:: Sin plomo / Cumple con RoHS

Cantidad disponible:: 17975 Pieces

Ficha de datos:: RN4990(T5L,F,T).pdf

Investigación

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):	50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:	300mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor:	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo:	US6
Serie:	-
Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms):	-
Resistencia - Base (R1) (Ohms):	4.7k
Potencia - Max:	200mW
embalaje:	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Otros nombres:	RN4990(T5LFT)TR RN4990T5LFT
Tipo de montaje:	Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):	1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:	RN4990(T5L,F,T)
Frecuencia - Transición:	250MHz, 200MHz
Descripción ampliada:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 200mW Surface Mount US6
Descripción:	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:	120 @ 1mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max):	100µA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max):	100mA
Email:	[email protected]

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