NSBC123EPDXV6T1
NSBC123EPDXV6T1
Número de pieza:
NSBC123EPDXV6T1
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
16231 Pieces
Ficha de datos:
NSBC123EPDXV6T1.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 5mA, 10mA
Tipo de transistor:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo:SOT-563
Serie:-
Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms):2.2k
Resistencia - Base (R1) (Ohms):2.2k
Potencia - Max:500mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOT-563, SOT-666
Otros nombres:NSBC123EPDXV6T1OS
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:NSBC123EPDXV6T1
Frecuencia - Transición:-
Descripción ampliada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
Descripción:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:8 @ 5mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max):500nA
Corriente - colector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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