NSBC123TDP6T5G
NSBC123TDP6T5G
Número de pieza:
NSBC123TDP6T5G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19131 Pieces
Ficha de datos:
NSBC123TDP6T5G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 1mA, 10mA
Tipo de transistor:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo:SOT-963
Serie:-
Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms):-
Resistencia - Base (R1) (Ohms):2.2k
Potencia - Max:339mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOT-963
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:13 Weeks
Número de pieza del fabricante:NSBC123TDP6T5G
Frecuencia - Transición:-
Descripción ampliada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 339mW Surface Mount SOT-963
Descripción:TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:160 @ 5mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max):500nA
Corriente - colector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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