RK3055ETL
RK3055ETL
Número de pieza:
RK3055ETL
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 8A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17563 Pieces
Ficha de datos:
RK3055ETL.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 1mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:CPT3
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:150 mOhm @ 4A, 10V
La disipación de energía (máximo):20W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:RK3055ETL-ND
RK3055ETLTR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:RK3055ETL
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:520pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 60V 8A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount CPT3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET N-CH 60V 8A DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:8A (Ta)
Email:[email protected]

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