RJK03M5DNS-00#J5
Número de pieza:
RJK03M5DNS-00#J5
Fabricante:
Renesas Electronics America
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 25A HWSON
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19817 Pieces
Ficha de datos:
RJK03M5DNS-00#J5.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:-
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-HWSON (3.3x3.3)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:6.3 mOhm @ 12.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):15W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerWDFN
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:RJK03M5DNS-00#J5
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1890pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:10.4nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 25A (Ta) 15W (Tc) Surface Mount 8-HWSON (3.3x3.3)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 25A HWSON
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:25A (Ta)
Email:[email protected]

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