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RJK03C1DPB-00#J5
- Número de pieza:
- RJK03C1DPB-00#J5
- Fabricante:
- Renesas Electronics America
- Descripción:
- MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 18879 Pieces
- Ficha de datos:
- RJK03C1DPB-00#J5.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para RJK03C1DPB-00#J5, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para RJK03C1DPB-00#J5 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | - |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | LFPAK |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 2.2 mOhm @ 30A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 65W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | SC-100, SOT-669 |
| Otros nombres: | RJK03C1DPB-00#J5-ND RJK03C1DPB-00#J5TR |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | RJK03C1DPB-00#J5 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 6000pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 42nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | Schottky Diode (Body) |
| Descripción ampliada: | N-Channel 30V 60A (Ta) 65W (Tc) Surface Mount LFPAK |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 60A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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