Comprar R6015ANZC8 con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 4.15V @ 1mA |
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Vgs (Max): | ±30V |
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | TO-3PF |
Serie: | - |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 300 mOhm @ 7.5A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 110W (Tc) |
embalaje: | Tube |
Paquete / Cubierta: | TO-3P-3 Full Pack |
Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Through Hole |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante: | R6015ANZC8 |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1700pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 50nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 600V 15A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-3PF |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 600V |
Descripción: | MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 15A (Tc) |
Email: | [email protected] |