R6015ANJTL
R6015ANJTL
Número de pieza:
R6015ANJTL
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19184 Pieces
Ficha de datos:
R6015ANJTL.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 1mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:LPTS
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:300 mOhm @ 7.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):100W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SC-83
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:R6015ANJTL
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1700pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:50nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 15A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount LPTS
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:15A (Tc)
Email:[email protected]

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