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PTFA191001EV4XWSA1
- Número de pieza:
- PTFA191001EV4XWSA1
- Descripción:
- IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 16513 Pieces
- Ficha de datos:
- PTFA191001EV4XWSA1.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para PTFA191001EV4XWSA1, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para PTFA191001EV4XWSA1 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Voltaje - Prueba: | 30V |
|---|---|
| Tensión - Calificación: | 65V |
| Tipo de transistor: | LDMOS |
| Paquete del dispositivo: | H-36248-2 |
| Serie: | - |
| Alimentación - Salida: | 44dBm |
| embalaje: | Tray |
| Paquete / Cubierta: | 2-Flatpack, Fin Leads |
| Otros nombres: | PTFA191001E V4 PTFA191001E V4-ND SP000317910 |
| Figura de ruido: | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Número de pieza del fabricante: | PTFA191001EV4XWSA1 |
| Ganancia: | 17dB |
| Frecuencia: | 1.96GHz |
| Descripción ampliada: | RF Mosfet LDMOS 30V 900mA 1.96GHz 17dB 44dBm H-36248-2 |
| Descripción: | IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2 |
| Valoración actual: | 10µA |
| Corriente - Prueba: | 900mA |
| Email: | [email protected] |
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| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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