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PMXB360ENEAZ
- Número de pieza:
- PMXB360ENEAZ
- Fabricante:
- Nexperia
- Descripción:
- MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19713 Pieces
- Ficha de datos:
- PMXB360ENEAZ.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para PMXB360ENEAZ, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para PMXB360ENEAZ por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.7V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | DFN1010D-3 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 450 mOhm @ 1.1A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 400mW (Ta), 6.25W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 3-XDFN Exposed Pad |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 13 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | PMXB360ENEAZ |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 130pF @ 40V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 4.5nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 80V 1.1A (Ta) 400mW (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 80V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 1.1A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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