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Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXTP8N70X2M
IXTP8N70X2M
Número de pieza:
IXTP8N70X2M
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CHANNEL 700V 4A TO220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13449 Pieces
Ficha de datos:
IXTP8N70X2M.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:550 mOhm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo):32W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:IXTP8N70X2M
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:800pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:12nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 700V 4A (Tc) 32W (Tc) Through Hole TO-220
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:700V
Descripción:MOSFET N-CHANNEL 700V 4A TO220-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

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