Comprar PMV213SN,215 con BYCHPS
Compre con garantía
PMV213SN,215
- Número de pieza:
- PMV213SN,215
- Fabricante:
- Nexperia
- Descripción:
- MOSFET N-CH 100V 1.9A SOT23
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 14843 Pieces
- Ficha de datos:
- PMV213SN,215.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para PMV213SN,215, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para PMV213SN,215 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-236AB (SOT23) |
| Serie: | TrenchMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 250 mOhm @ 500mA, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 280mW (Tj) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Otros nombres: | 1727-6294-2 568-8112-2 568-8112-2-ND 934057521215 PMV213SN T/R PMV213SN T/R-ND PMV213SN,215-ND PMV213SN215 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 8 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | PMV213SN,215 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 330pF @ 20V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 7nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 100V 1.9A (Tc) 280mW (Tj) Surface Mount TO-236AB (SOT23) |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 100V 1.9A SOT23 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 1.9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de PMV213SN,215
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog