TK11A50D(STA4,Q,M)
TK11A50D(STA4,Q,M)
Número de pieza:
TK11A50D(STA4,Q,M)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 11A TO-220SIS
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16698 Pieces
Ficha de datos:
1.TK11A50D(STA4,Q,M).pdf2.TK11A50D(STA4,Q,M).pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para TK11A50D(STA4,Q,M), tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para TK11A50D(STA4,Q,M) por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar TK11A50D(STA4,Q,M) con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 1mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220SIS
Serie:π-MOSVII
RDS (Max) @Id, Vgs:600 mOhm @ 5.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):45W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3 Full Pack
Otros nombres:TK11A50D(STA4QM)
TK11A50DSTA4QM
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:TK11A50D(STA4,Q,M)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1200pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:24nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 500V 11A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:500V
Descripción:MOSFET N-CH 500V 11A TO-220SIS
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:11A (Ta)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios