PMPB20UN,115
PMPB20UN,115
Número de pieza:
PMPB20UN,115
Fabricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 6.6A 6DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15024 Pieces
Ficha de datos:
PMPB20UN,115.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:6-DFN2020MD (2x2)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:25 mOhm @ 6.6A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:6-UDFN Exposed Pad
Otros nombres:568-10816-2
934066862115
PMPB20UN,115-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:PMPB20UN,115
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:460pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:7.1nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 20V 6.6A (Ta) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount 6-DFN2020MD (2x2)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET N-CH 20V 6.6A 6DFN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:6.6A (Ta)
Email:[email protected]

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