FQP9N08
Número de pieza:
FQP9N08
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 80V 9.3A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13641 Pieces
Ficha de datos:
1.FQP9N08.pdf2.FQP9N08.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220-3
Serie:QFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:210 mOhm @ 4.65A, 10V
La disipación de energía (máximo):40W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:FQP9N08
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:250pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:7.7nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 80V 9.3A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:80V
Descripción:MOSFET N-CH 80V 9.3A TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:9.3A (Tc)
Email:[email protected]

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