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PMDT290UNE,115
- Número de pieza:
- PMDT290UNE,115
- Fabricante:
- Nexperia
- Descripción:
- MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 18003 Pieces
- Ficha de datos:
- PMDT290UNE,115.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para PMDT290UNE,115, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para PMDT290UNE,115 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 950mV @ 250µA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | SOT-666 |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 380 mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Potencia - Max: | 500mW |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | SOT-563, SOT-666 |
| Otros nombres: | 1727-1333-2 568-10766-2 568-10766-2-ND 934065732115 PMDT290UNE,115-ND PMDT290UNE115 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | PMDT290UNE,115 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 83pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 0.68nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica de FET: | Logic Level Gate |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 800mA 500mW Surface Mount SOT-666 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción: | MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 800mA |
| Email: | [email protected] |
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