PHX18NQ20T,127
PHX18NQ20T,127
Número de pieza:
PHX18NQ20T,127
Fabricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 8.2A TO220F
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13844 Pieces
Ficha de datos:
PHX18NQ20T,127.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 1mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220-3
Serie:TrenchMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:180 mOhm @ 8A, 10V
La disipación de energía (máximo):30W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Otros nombres:934056396127
PHX18NQ20T
PHX18NQ20T-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:PHX18NQ20T,127
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1850pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:40nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 200V 8.2A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:200V
Descripción:MOSFET N-CH 200V 8.2A TO220F
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:8.2A (Tc)
Email:[email protected]

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