NTF3055L175T3G
NTF3055L175T3G
Número de pieza:
NTF3055L175T3G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 2A SOT223
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19659 Pieces
Ficha de datos:
NTF3055L175T3G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SOT-223 (TO-261)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:175 mOhm @ 1A, 5V
La disipación de energía (máximo):1.3W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-261-4, TO-261AA
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:NTF3055L175T3G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:270pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:10nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 60V 2A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount SOT-223 (TO-261)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET N-CH 60V 2A SOT223
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2A (Ta)
Email:[email protected]

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