Comprar PDTD123YS,126 con BYCHPS
Compre con garantía
PDTD123YS,126
- Número de pieza:
- PDTD123YS,126
- Fabricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descripción:
- TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15430 Pieces
- Ficha de datos:
- PDTD123YS,126.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para PDTD123YS,126, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para PDTD123YS,126 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 50V |
|---|---|
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Tipo de transistor: | NPN - Pre-Biased |
| Paquete del dispositivo: | TO-92-3 |
| Serie: | - |
| Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms): | 10k |
| Resistencia - Base (R1) (Ohms): | 2.2k |
| Potencia - Max: | 500mW |
| embalaje: | Tape & Box (TB) |
| Paquete / Cubierta: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Otros nombres: | 934059147126 PDTD123YS AMO PDTD123YS AMO-ND |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | PDTD123YS,126 |
| Frecuencia - Transición: | - |
| Descripción ampliada: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3 |
| Descripción: | TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 70 @ 50mA, 5V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 500nA |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 500mA |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de PDTD123YS,126
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
PDTA144WMB,315 | Nexperia USA Inc. | TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN | Investigación |
 |
PDTD123YK,115 | NXP USA Inc. | TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3 | Investigación |
|
PDTD123TK,115 | NXP USA Inc. | TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3 | Investigación |
|
PDTD113EK,115 | NXP USA Inc. | TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3 | Investigación |
|
PDTD123EK,115 | NXP USA Inc. | TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3 | Investigación |
|
PDTD113ZK,115 | NXP USA Inc. | TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3 | Investigación |
 |
PDTD123ES,126 | NXP USA Inc. | TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 | Investigación |
|
PDTD123TS,126 | NXP USA Inc. | TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 | Investigación |
|
PDTD113ZS,126 | NXP USA Inc. | TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 | Investigación |
|
PDTD113ES,126 | NXP USA Inc. | TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog