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PDTD113ES,126
- Número de pieza:
- PDTD113ES,126
- Fabricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descripción:
- TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 14179 Pieces
- Ficha de datos:
- PDTD113ES,126.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para PDTD113ES,126, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para PDTD113ES,126 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 50V |
|---|---|
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Tipo de transistor: | NPN - Pre-Biased |
| Paquete del dispositivo: | TO-92-3 |
| Serie: | - |
| Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms): | 1k |
| Resistencia - Base (R1) (Ohms): | 1k |
| Potencia - Max: | 500mW |
| embalaje: | Tape & Box (TB) |
| Paquete / Cubierta: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Otros nombres: | 934059141126 PDTD113ES AMO PDTD113ES AMO-ND |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | PDTD113ES,126 |
| Frecuencia - Transición: | - |
| Descripción ampliada: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3 |
| Descripción: | TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 33 @ 50mA, 5V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 500nA |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 500mA |
| Email: | [email protected] |
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