Comprar PD20015C con BYCHPS
Compre con garantía
PD20015C
- Número de pieza:
- PD20015C
- Fabricante:
- ST
- Descripción:
- FET RF 40V 2GHZ M243
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 18344 Pieces
- Ficha de datos:
- PD20015C.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para PD20015C, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para PD20015C por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Voltaje - Prueba: | 13.6V |
|---|---|
| Tensión - Calificación: | 40V |
| Tipo de transistor: | LDMOS |
| Paquete del dispositivo: | M243 |
| Serie: | - |
| Alimentación - Salida: | 15W |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | M243 |
| Otros nombres: | 497-12509 PD20015C-ND |
| Figura de ruido: | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | PD20015C |
| Ganancia: | 11dB |
| Frecuencia: | 2GHz |
| Descripción ampliada: | RF Mosfet LDMOS 13.6V 350mA 2GHz 11dB 15W M243 |
| Descripción: | FET RF 40V 2GHZ M243 |
| Valoración actual: | 7A |
| Corriente - Prueba: | 350mA |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de PD20015C
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
PD20010STR-E | STMicroelectronics | TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF STR | Investigación |
 |
PD55008-E | STMicroelectronics | FET RF 40V 500MHZ PWRSO10 | Investigación |
 |
PD20010-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | Investigación |
|
PD20015-E | STMicroelectronics | TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF | Investigación |
 |
PTFA261702E V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 170W H-30275-4 | Investigación |
 |
MRF1K50HR5 | NXP USA Inc. | HIGH POWER RF TRANSISTOR | Investigación |
|
PD20015S-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | Investigación |
|
PD84006-E | STMicroelectronics | FET RF 25V 870MHZ PWRSO-10RF | Investigación |
|
PD20010S-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | Investigación |
 |
UF28150J | M/A-Com Technology Solutions | MOSFET 150W 28V 100-500MHZ | Investigación |
 |
RFM08U9X(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH PW-X | Investigación |
|
PD20010TR-E | STMicroelectronics | TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog