Comprar PD20010S-E con BYCHPS
Compre con garantía
PD20010S-E
- Número de pieza:
- PD20010S-E
- Fabricante:
- ST
- Descripción:
- TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 12520 Pieces
- Ficha de datos:
- PD20010S-E.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para PD20010S-E, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para PD20010S-E por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Voltaje - Prueba: | 13.6V |
|---|---|
| Tensión - Calificación: | 40V |
| Tipo de transistor: | LDMOS |
| Paquete del dispositivo: | PowerSO-10RF (Straight Lead) |
| Serie: | - |
| Alimentación - Salida: | 10W |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads) |
| Otros nombres: | PD20010SE |
| Figura de ruido: | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 11 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | PD20010S-E |
| Ganancia: | 11dB |
| Frecuencia: | 2GHz |
| Descripción ampliada: | RF Mosfet LDMOS 13.6V 150mA 2GHz 11dB 10W PowerSO-10RF (Straight Lead) |
| Descripción: | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF |
| Valoración actual: | 5A |
| Corriente - Prueba: | 150mA |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de PD20010S-E
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
PD20010STR-E | STMicroelectronics | TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF STR | Investigación |
|
PD20015S-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | Investigación |
 |
PD20010-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | Investigación |
 |
BLL6H0514LS-130,11 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135B | Investigación |
|
PD20010TR-E | STMicroelectronics | TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM | Investigación |
 |
MRF8S23120HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.3GHZ NI-780 | Investigación |
 |
NE3517S03-T1C-A | CEL | FET RF 4V 20GHZ S03 | Investigación |
 |
A2T26H165-24SR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | Investigación |
 |
PD20015C | STMicroelectronics | FET RF 40V 2GHZ M243 | Investigación |
|
PD20015-E | STMicroelectronics | TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog