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NXPSC08650Q
- Número de pieza:
- NXPSC08650Q
- Fabricante:
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Descripción:
- DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2
- Cantidad disponible:
- 13398 Pieces
- Ficha de datos:
- NXPSC08650Q.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para NXPSC08650Q, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para NXPSC08650Q por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.7V @ 8A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 650V |
| Paquete del dispositivo: | TO-220AC |
| Velocidad: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 0ns |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-220-2 |
| Otros nombres: | 1740-1222 934068069127 |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | 175°C (Max) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 12 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | NXPSC08650Q |
| Descripción ampliada: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 8A Through Hole TO-220AC |
| Tipo de diodo: | Silicon Carbide Schottky |
| Descripción: | DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 230µA @ 650V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 8A |
| Capacitancia Vr, F: | 260pF @ 1V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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