NXPSC04650Q
Número de pieza:
NXPSC04650Q
Fabricante:
WeEn Semiconductors Co., Ltd
Descripción:
DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220-2
Cantidad disponible:
17297 Pieces
Ficha de datos:
NXPSC04650Q.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1.7V @ 4A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):650V
Paquete del dispositivo:TO-220AC
Velocidad:No Recovery Time > 500mA (Io)
Serie:-
Tiempo de recuperación inversa (trr):0ns
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-2
Otros nombres:1740-1225
934068072127
Temperatura de funcionamiento - Junction:175°C (Max)
Tipo de montaje:Through Hole
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:NXPSC04650Q
Descripción ampliada:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 4A Through Hole TO-220AC
Tipo de diodo:Silicon Carbide Schottky
Descripción:DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220-2
Corriente - Fuga inversa a Vr:170µA @ 650V
Corriente - rectificada media (Io):4A
Capacitancia Vr, F:130pF @ 1V, 1MHz
Email:[email protected]

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