Comprar NX1029X,115 con BYCHPS
Compre con garantía
NX1029X,115
- Número de pieza:
- NX1029X,115
- Fabricante:
- Nexperia
- Descripción:
- MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT666
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 13654 Pieces
- Ficha de datos:
- NX1029X,115.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para NX1029X,115, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para NX1029X,115 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.1V @ 250µA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | SOT-666 |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 7.5 Ohm @ 100mA, 10V |
| Potencia - Max: | 500mW |
| embalaje: | Original-Reel® |
| Paquete / Cubierta: | SOT-563, SOT-666 |
| Otros nombres: | 1727-1277-6 568-10494-6 568-10494-6-ND |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | NX1029X,115 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 36pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 0.35nC @ 5V |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Característica de FET: | Logic Level Gate |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array N and P-Channel 60V, 50V 330mA, 170mA 500mW Surface Mount SOT-666 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 60V, 50V |
| Descripción: | MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT666 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 330mA, 170mA |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de NX1029X,115
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
CSD75211W1723 | Texas Instruments | MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 12DSBGA | Investigación |
 |
2N7002DW-7-F | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT-363 | Investigación |
 |
FDS8949_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 40V 6A 8-SOIC | Investigación |
 |
SI6983DQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8TSSOP | Investigación |
 |
SP8K5TB | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC | Investigación |
 |
SSM6N7002BFE,LM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6 | Investigación |
 |
ALD310704PCL | Advanced Linear Devices Inc. | QUAD P-CHANNEL EPAD MATCHED PAIR | Investigación |
|
SI4618DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC | Investigación |
 |
FDMD82100 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 100V 7A 12POWER | Investigación |
 |
SH8M14TB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A SOP | Investigación |
 |
FDMB3900AN | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP | Investigación |
 |
AOP610 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N/P-CH 30V 8DIP | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog